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半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法

顶目情况 本次目应用于长四角城市某我国级半导体器件第三产业各园,客户核心生孩子849英寸和1249英寸晶圆,日产尼桑量可达到2万片。根据产量提拔,原本的的生活污水工作系統已没办法具备节能追求,现需版本升级变革。产品总注资约11000万元,定制工作水平为300吨/日,于2022年开工建设投用。 化工废水化学成分及源 该企业主晶圆划区程序造成的污水主要是涵盖之下化学成分: 切开全过程中动用的精磨液杂质物,主要的营养成分为二防氧化硅粒状、表明活力剂和设计“物理添加剂 晶圆表面层家电清洗出现的含氟废水处理,氟阴阳离子浓硫酸浓度在80-120mg/L 几瓶血本属阴阳离子如铜、镍等,来原于激光切割产品损耗 可挥发稀释剂使用量,涵盖异丙醇、异丙醇等 pH值起伏越大越大,一般说来在4-10间 净化处理生产技术环节 重要性废水外理方法属性,设计方案应用"有机化学预外理+生物化外理+深浅外理"的组合成鑫霖环保: 设定池 :均衡性饮用水出水量,设置成pH一直监测站和自行投药系统的 混疑析出 :污泥脱水PAC和PAM,洗去悬浮物物和胶体溶液物质 气浮单元测试 :所采用溶气气浮生产技术进一歩快速清理体积小颗粒剂和地方可挥发物 生化学正确处理 :选用MBR膜生物技术想法器,工业废水盐浓度维系在8000-10000mg/L 淬硬层整理 :粘附性炭粘附+反融合技艺,确保溢水及格 厌氧颗粒污泥工作 :板框压泥机脱水现象,污泥干化含水分率减至60%一些 进行处理实际效果 机系统可靠行驶后,出水量土质全部提高《智能电子工业化的水污染源物排出准则》(GB39731-2020)比较排出标准值特殊要求: COD<30mg/L 氟正离子<5mg/L 浮窗物<10mg/L 高价属基本指标图均不超过卫生防护距离 工程年可以减少环境污渍废气排缩量上涨约COD 32吨、氟化物8.5吨,回收水率起到75%左右,为厂家合理安排水电费总支出约110万元/年。

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